Bipolartransistor MJE18008G

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJE18008G

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 450 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 1000 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 9 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 8 A
  • Verlustleistung, max: 125 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 14 bis 34
  • Übergangsfrequenz, min: 13 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220
  • Der MJE18008G ist die bleifreie Version des MJE18008-Transistors

Pinbelegung des MJE18008G

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJE18008G

Sie können den Transistor MJE18008G durch einen MJE18008, MJF18008 oder MJF18008G ersetzen.
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