Bipolartransistor MJE18008G

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 450 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 1000 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 9 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 8 A
• Verlustleistung, max: 125 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 14 bis 34
• Übergangsfrequenz, min: 13 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: TO-220
• Der MJE18008G ist die bleifreie Version des MJE18008-Transistors

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Sie können den Transistor MJE18008G durch einen MJE18008, MJF18008 oder MJF18008G ersetzen.