Bipolartransistor MJE13009

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 400 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 700 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 9 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 12 A
• Verlustleistung, max: 100 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 8 bis 40
• Übergangsfrequenz, min: 4 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: TO-220

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Sie können den Transistor MJE13009 durch einen FJP13009, KSE13009 oder MJE13009G ersetzen.Der MJE13009G-Transistor ist die bleifreie Version des MJE13009.