Bipolartransistor FJP13007

Elektrische Eigenschaften des Transistors FJP13007

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 400 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 700 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 9 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 8 A
  • Verlustleistung, max: 80 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 8 bis 60
  • Übergangsfrequenz, min: 4 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220
  • Electrically Similar to the Popular MJE13007 transistor

Pinbelegung des FJP13007

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor FJP13007 kann eine Gleichstromverstärkung von 8 bis 60 haben. Die Gleichstromverstärkung des FJP13007H1 liegt im Bereich von 15 bis 28, die des FJP13007H2 im Bereich von 26 bis 39.

Kennzeichnung

Der FJP13007-Transistor ist als "J13007" gekennzeichnet.

Ersatz und Äquivalent für Transistor FJP13007

Sie können den Transistor FJP13007 durch einen KSE13007, KSE13007F, MJE13007, MJE13007A, MJE13007G oder STD13007F ersetzen.
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