Bipolartransistor STD13007

Elektrische Eigenschaften des Transistors STD13007

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 400 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 700 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 9 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 8 A
  • Verlustleistung, max: 80 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 10 bis 45
  • Übergangsfrequenz, min: 14 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des STD13007

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor STD13007 kann eine Gleichstromverstärkung von 10 bis 45 haben. Die Gleichstromverstärkung des STD13007-A liegt im Bereich von 10 bis 30, die des STD13007-B im Bereich von 25 bis 45, die des STD13007F im Bereich von 8 bis 60, die des STD13007FC im Bereich von 10 bis 45, die des STD13007FC-A im Bereich von 10 bis 30, die des STD13007FC-B im Bereich von 25 bis 45.

Ersatz und Äquivalent für Transistor STD13007

Sie können den Transistor STD13007 durch einen FJP13007, KSE13007, KSE13007F, MJE13007, MJE13007A, MJE13007G oder STD13007P ersetzen.
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