Bipolartransistor 2N6739
Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N6739
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 350 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 400 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 8 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 8 A
- Verlustleistung, max: 100 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 10 bis 40
- Übergangsfrequenz, min: 60 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
- Gehäuse: TO-220
Pinbelegung des 2N6739
Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N6739
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