Bipolartransistor STD13007F

Elektrische Eigenschaften des Transistors STD13007F

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 400 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 700 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 9 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 8 A
  • Verlustleistung, max: 40 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 8 bis 60
  • Übergangsfrequenz, min: 14 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220F

Pinbelegung des STD13007F

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor STD13007F kann eine Gleichstromverstärkung von 8 bis 60 haben. Die Gleichstromverstärkung des STD13007 liegt im Bereich von 10 bis 45, die des STD13007-A im Bereich von 10 bis 30, die des STD13007-B im Bereich von 25 bis 45, die des STD13007FC im Bereich von 10 bis 45, die des STD13007FC-A im Bereich von 10 bis 30, die des STD13007FC-B im Bereich von 25 bis 45.

Ersatz und Äquivalent für Transistor STD13007F

Sie können den Transistor STD13007F durch einen FJP13007, KSE13007, KSE13007F, MJE13007, MJE13007A oder MJE13007G ersetzen.
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