Elektrische Eigenschaften des Transistors KSC815CG
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 45 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.2 A
Verlustleistung, max: 0.4 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 200 bis 400
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-92
Pinbelegung des KSC815CG
Der KSC815CG wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung. Das Suffix "C" steht für den mittleren Kollektor in KSC815G. Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor KSC815CG kann eine Gleichstromverstärkung von 200 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSC815C liegt im Bereich von 40 bis 400, die des KSC815CO im Bereich von 70 bis 140, die des KSC815CR im Bereich von 40 bis 80, die des KSC815CY im Bereich von 120 bis 240.