Bipolartransistor KTC1006
Elektrische Eigenschaften des Transistors KTC1006
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.8 A
- Verlustleistung, max: 1 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 100
- Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: TO-92MOD
Pinbelegung des KTC1006
SMD-Version des Transistors KTC1006
Ersatz und Äquivalent für Transistor KTC1006
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