Bipolartransistor 2SC3708

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SC3708

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.5 A
  • Verlustleistung, max: 0.6 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 400
  • Übergangsfrequenz, min: 120 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des 2SC3708

Der 2SC3708 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SC3708 kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SC3708-R liegt im Bereich von 100 bis 200, die des 2SC3708-S im Bereich von 140 bis 280, die des 2SC3708-T im Bereich von 200 bis 400.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SC3708-Transistor könnte nur mit "C3708" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SC3708 ist der 2SA1450.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SC3708

Sie können den Transistor 2SC3708 durch einen 2SC3332, 2SD438, KSC1009C oder KTC1006 ersetzen.
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