Bipolartransistor KSD1616

Elektrische Eigenschaften des Transistors KSD1616

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 50 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1 A
  • Verlustleistung, max: 0.75 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 135 bis 600
  • Übergangsfrequenz, min: 160 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92
  • Electrically Similar to the Popular 2SD1616 transistor

Pinbelegung des KSD1616

Der KSD1616 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KSD1616 kann eine Gleichstromverstärkung von 135 bis 600 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSD1616-G liegt im Bereich von 200 bis 400, die des KSD1616-L im Bereich von 300 bis 600, die des KSD1616-Y im Bereich von 135 bis 270.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum KSD1616 ist der KSB1116.

SMD-Version des Transistors KSD1616

Der 2SD1615 (SOT-89), 2SD1622 (SOT-89), FMMTA05 (SOT-23), KST05 (SOT-23), MMBTA05 (SOT-23), PZTA05 (SOT-223) und SMBTA05 (SOT-23) ist die SMD-Version des KSD1616-Transistors.

Transistor KSD1616 im TO-92-Gehäuse

Der 2SD1616 ist die TO-92-Version des KSD1616.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KSD1616

Sie können den Transistor KSD1616 durch einen 2SD1616 oder 2SD789 ersetzen.
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