Elektrische Eigenschaften des Transistors KTC3875S-GL
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 50 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.15 A
Verlustleistung, max: 0.15 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 200 bis 400
Übergangsfrequenz, min: 80 MHz
Rauschzahl, max: 1 dB
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: SOT-23
Pinbelegung des KTC3875S-GL
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor KTC3875S-GL kann eine Gleichstromverstärkung von 200 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des KTC3875S liegt im Bereich von 70 bis 700, die des KTC3875S-BL im Bereich von 350 bis 700, die des KTC3875S-O im Bereich von 70 bis 140, die des KTC3875S-Y im Bereich von 120 bis 240.
Kennzeichnung
Der KTC3875S-GL-Transistor ist als "ALG" gekennzeichnet.
