Bipolartransistor FJX945G

Elektrische Eigenschaften des Transistors FJX945G

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 50 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.15 A
  • Verlustleistung, max: 0.2 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 200 bis 400
  • Übergangsfrequenz, min: 300 MHz
  • Rauschzahl, max: 4 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-323

Pinbelegung des FJX945G

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor FJX945G kann eine Gleichstromverstärkung von 200 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des FJX945 liegt im Bereich von 70 bis 700, die des FJX945L im Bereich von 350 bis 700, die des FJX945O im Bereich von 70 bis 140, die des FJX945Y im Bereich von 120 bis 240.

Kennzeichnung

Der FJX945G-Transistor ist als "SAG" gekennzeichnet.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum FJX945G ist der FJX733G.

Ersatz und Äquivalent für Transistor FJX945G

Sie können den Transistor FJX945G durch einen 2SC4116 oder 2SC4116-GR ersetzen.
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