Bipolartransistor FJX945G
Elektrische Eigenschaften des Transistors FJX945G
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 50 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.15 A
- Verlustleistung, max: 0.2 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 200 bis 400
- Übergangsfrequenz, min: 300 MHz
- Rauschzahl, max: 4 dB
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: SOT-323
Pinbelegung des FJX945G
Klassifizierung von hFE
Kennzeichnung
Komplementärer PNP-Transistor
Ersatz und Äquivalent für Transistor FJX945G
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