Bipolartransistor 2SD1616

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 50 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1 A
• Verlustleistung, max: 0.75 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 135 bis 600
• Übergangsfrequenz, min: 160 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-92

Der 2SD1616 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SD1616 kann eine Gleichstromverstärkung von 135 bis 600 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1616-K liegt im Bereich von 200 bis 400, die des 2SD1616-L im Bereich von 135 bis 270, die des 2SD1616-U im Bereich von 300 bis 600.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1616-Transistor könnte nur mit "D1616" gekennzeichnet sein.Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD1616 ist der 2SB1116.Der 2SD1615 (SOT-89), 2SD1622 (SOT-89), FMMTA05 (SOT-23), KST05 (SOT-23), MMBTA05 (SOT-23), PZTA05 (SOT-223) und SMBTA05 (SOT-23) ist die SMD-Version des 2SD1616-Transistors.Der KSD1616 ist die TO-92-Version des 2SD1616.Sie können den Transistor 2SD1616 durch einen 2SD789 oder KSD1616 ersetzen.