Bipolartransistor KSC815C

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 45 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.2 A
• Verlustleistung, max: 0.4 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 40 bis 400
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-92

Der KSC815C wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung. Das Suffix "C" steht für den mittleren Kollektor in KSC815.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor KSC815C kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSC815CG liegt im Bereich von 200 bis 400, die des KSC815CO im Bereich von 70 bis 140, die des KSC815CR im Bereich von 40 bis 80, die des KSC815CY im Bereich von 120 bis 240.Der komplementäre PNP-Transistor zum KSC815C ist der KSA539C.Sie können den Transistor KSC815C durch einen KSC1008C ersetzen.