Bipolartransistor KSD1616-G

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 50 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1 A
• Verlustleistung, max: 0.75 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 200 bis 400
• Übergangsfrequenz, min: 160 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-92
• Electrically Similar to the Popular 2SD1616-K transistor

Der KSD1616-G wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor KSD1616-G kann eine Gleichstromverstärkung von 200 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSD1616 liegt im Bereich von 135 bis 600, die des KSD1616-L im Bereich von 300 bis 600, die des KSD1616-Y im Bereich von 135 bis 270.Der komplementäre PNP-Transistor zum KSD1616-G ist der KSB1116-G.Der 2SD1615 (SOT-89), 2SD1615-GL (SOT-89), 2SD1622 (SOT-89), 2SD1622-T (SOT-89), 2STR1160 (SOT-23), FMMTA05 (SOT-23), KST05 (SOT-23), MMBTA05 (SOT-23), PZTA05 (SOT-223) und SMBTA05 (SOT-23) ist die SMD-Version des KSD1616-G-Transistors.Der 2SD1616-K ist die TO-92-Version des KSD1616-G.Sie können den Transistor KSD1616-G durch einen 2SC4408, 2SC4604, 2SC6043, 2SD1207, 2SD1207-T, 2SD1347, 2SD1347T, 2SD1616, 2SD1616-K, 2SD1616A, 2SD1616A-K, 2SD1835, 2SD1835-T, 2SD789, KSD1616A oder KSD1616A-G ersetzen.