Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD1835-T
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 50 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 2 A
Verlustleistung, max: 0.75 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 200 bis 400
Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-92
Pinbelegung des 2SD1835-T
Der 2SD1835-T wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung. Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SD1835-T kann eine Gleichstromverstärkung von 200 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1835 liegt im Bereich von 100 bis 560, die des 2SD1835-R im Bereich von 100 bis 200, die des 2SD1835-S im Bereich von 140 bis 280, die des 2SD1835-U im Bereich von 280 bis 560.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1835-T-Transistor könnte nur mit "D1835-T" gekennzeichnet sein.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD1835-T ist der 2SB1229-T.
