Elektrische Eigenschaften des Transistors KSC1008C
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 8 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.7 A
Verlustleistung, max: 0.8 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 400
Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-92
Pinbelegung des KSC1008C
Der KSC1008C wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung. Das Suffix "C" steht für den mittleren Kollektor in KSC1008. Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor KSC1008C kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSC1008CG liegt im Bereich von 200 bis 400, die des KSC1008CO im Bereich von 70 bis 140, die des KSC1008CR im Bereich von 40 bis 80, die des KSC1008CY im Bereich von 120 bis 240.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum KSC1008C ist der KSA708C.
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