Bipolartransistor KTC3875GL

Elektrische Eigenschaften des Transistors KTC3875GL

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 50 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.15 A
  • Verlustleistung, max: 0.15 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 200 bis 400
  • Übergangsfrequenz, min: 80 MHz
  • Rauschzahl, max: 1 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-23

Pinbelegung des KTC3875GL

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KTC3875GL kann eine Gleichstromverstärkung von 200 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des KTC3875 liegt im Bereich von 70 bis 700, die des KTC3875BL im Bereich von 350 bis 700, die des KTC3875O im Bereich von 70 bis 140, die des KTC3875Y im Bereich von 120 bis 240.

Kennzeichnung

Der KTC3875GL-Transistor ist als "ALG" gekennzeichnet.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum KTC3875GL ist der KTA1504GL.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KTC3875GL

Sie können den Transistor KTC3875GL durch einen 2SC2412, 2SC2712, 2SC2712-GR, 2SC3441, 2SC3912, 2SC3913, 2SC3914, 2SC3915, 2SC4738, 2SC4738-GR, 2STR1160, BCV72, FMMT619, FMMT620, FMMTA05, FMMTA06, KST05, KST06, KTC3875S, KTC3875S-GL, MMBTA05, MMBTA06, PMBTA06, SMBTA05 oder SMBTA06 ersetzen.
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