Elektrische Eigenschaften des Transistors KTC3875GL
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 50 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.15 A
Verlustleistung, max: 0.15 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 200 bis 400
Übergangsfrequenz, min: 80 MHz
Rauschzahl, max: 1 dB
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: SOT-23
Pinbelegung des KTC3875GL
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor KTC3875GL kann eine Gleichstromverstärkung von 200 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des KTC3875 liegt im Bereich von 70 bis 700, die des KTC3875BL im Bereich von 350 bis 700, die des KTC3875O im Bereich von 70 bis 140, die des KTC3875Y im Bereich von 120 bis 240.
Kennzeichnung
Der KTC3875GL-Transistor ist als "ALG" gekennzeichnet.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum KTC3875GL ist der KTA1504GL.