Bipolartransistor FJX945

Elektrische Eigenschaften des Transistors FJX945

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 50 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.15 A
  • Verlustleistung, max: 0.2 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 70 bis 700
  • Übergangsfrequenz, min: 300 MHz
  • Rauschzahl, max: 4 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-323

Pinbelegung des FJX945

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor FJX945 kann eine Gleichstromverstärkung von 70 bis 700 haben. Die Gleichstromverstärkung des FJX945G liegt im Bereich von 200 bis 400, die des FJX945L im Bereich von 350 bis 700, die des FJX945O im Bereich von 70 bis 140, die des FJX945Y im Bereich von 120 bis 240.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum FJX945 ist der FJX733.

Ersatz und Äquivalent für Transistor FJX945

Sie können den Transistor FJX945 durch einen 2SC4116 ersetzen.
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