Bipolartransistor KSC1623-G

Elektrische Eigenschaften des Transistors KSC1623-G

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 50 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.2 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 200 bis 400
  • Übergangsfrequenz, min: 250 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-23
  • Electrically Similar to the Popular 2SC1623-L6 transistor

Pinbelegung des KSC1623-G

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KSC1623-G kann eine Gleichstromverstärkung von 200 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSC1623 liegt im Bereich von 90 bis 600, die des KSC1623-L im Bereich von 300 bis 600, die des KSC1623-O im Bereich von 90 bis 180, die des KSC1623-Y im Bereich von 135 bis 270.

Kennzeichnung

Der KSC1623-G-Transistor ist als "C1G" gekennzeichnet.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum KSC1623-G ist der KSA812-G.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KSC1623-G

Sie können den Transistor KSC1623-G durch einen 2SC1623, 2SC1623-L6, 2SC2412, 2SC2712, 2SC2712-GR, 2SC3441, 2SC3912, 2SC3913, 2SC3914, 2SC3915, 2SC4738, 2SC4738-GR, 2SD601A, 2STR1160, BC846, BC846B, BCV72, FMMT619, FMMT620, FMMTA05, FMMTA06, KST05, KST06, KTC3875, KTC3875GL, KTC3875S, KTC3875S-GL, MMBT2484, MMBT5210, MMBTA05, MMBTA06, PMBTA06, SMBTA05 oder SMBTA06 ersetzen.
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