Elektrische Eigenschaften des Transistors KSC815CR
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 45 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.2 A
Verlustleistung, max: 0.4 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 80
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-92
Pinbelegung des KSC815CR
Der KSC815CR wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung. Das Suffix "C" steht für den mittleren Kollektor in KSC815R. Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor KSC815CR kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 80 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSC815C liegt im Bereich von 40 bis 400, die des KSC815CG im Bereich von 200 bis 400, die des KSC815CO im Bereich von 70 bis 140, die des KSC815CY im Bereich von 120 bis 240.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum KSC815CR ist der KSA539CR.
SMD-Version des Transistors KSC815CR
Der 2SC3803 (SOT-89) und 2SC3803-R (SOT-89) ist die SMD-Version des KSC815CR-Transistors.
