Bipolartransistor KSC815CR

Elektrische Eigenschaften des Transistors KSC815CR

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 45 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.2 A
  • Verlustleistung, max: 0.4 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 80
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des KSC815CR

Der KSC815CR wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung. Das Suffix "C" steht für den mittleren Kollektor in KSC815R.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KSC815CR kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 80 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSC815C liegt im Bereich von 40 bis 400, die des KSC815CG im Bereich von 200 bis 400, die des KSC815CO im Bereich von 70 bis 140, die des KSC815CY im Bereich von 120 bis 240.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum KSC815CR ist der KSA539CR.

SMD-Version des Transistors KSC815CR

Der 2SC3803 (SOT-89) und 2SC3803-R (SOT-89) ist die SMD-Version des KSC815CR-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KSC815CR

Sie können den Transistor KSC815CR durch einen 2SC2000, 2SC2000-M, BC635, BC637, BC639, KSC1008C, KSC1008CR, KSC2331, KSC2331R oder PN3642 ersetzen.
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