Bipolartransistor 2SD1835

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD1835

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 50 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 2 A
  • Verlustleistung, max: 0.75 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 560
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des 2SD1835

Der 2SD1835 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SD1835 kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 560 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1835-R liegt im Bereich von 100 bis 200, die des 2SD1835-S im Bereich von 140 bis 280, die des 2SD1835-T im Bereich von 200 bis 400, die des 2SD1835-U im Bereich von 280 bis 560.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1835-Transistor könnte nur mit "D1835" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD1835 ist der 2SB1229.

SMD-Version des Transistors 2SD1835

Der 2SD1622 (SOT-89) und 2SD1623 (SOT-89) ist die SMD-Version des 2SD1835-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD1835

Sie können den Transistor 2SD1835 durch einen 2SD1207 oder 2SD1347 ersetzen.
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