Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD2395-F
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 50 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 3 A
Verlustleistung, max: 25 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 160 bis 320
Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-220F
Pinbelegung des 2SD2395-F
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SD2395-F kann eine Gleichstromverstärkung von 160 bis 320 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD2395 liegt im Bereich von 100 bis 320, die des 2SD2395-E im Bereich von 100 bis 200.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD2395-F-Transistor könnte nur mit "D2395-F" gekennzeichnet sein.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD2395-F ist der 2SB1566-F.
SMD-Version des Transistors 2SD2395-F
Der 2SD1623 (SOT-89), 2SD1624 (SOT-89) und BDP949 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SD2395-F-Transistors.