Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD1266A-O
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 3 A
Verlustleistung, max: 35 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 160 bis 320
Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-220F
Pinbelegung des 2SD1266A-O
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SD1266A-O kann eine Gleichstromverstärkung von 160 bis 320 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1266A liegt im Bereich von 70 bis 320, die des 2SD1266A-P im Bereich von 120 bis 250, die des 2SD1266A-Q im Bereich von 70 bis 150.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1266A-O-Transistor könnte nur mit "D1266A-O" gekennzeichnet sein.
SMD-Version des Transistors 2SD1266A-O
Der BDP951 (SOT-223) und FMMT620 (SOT-23) ist die SMD-Version des 2SD1266A-O-Transistors.
