Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD2061F
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 50 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 3 A
Verlustleistung, max: 25 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 160 bis 320
Übergangsfrequenz, min: 70 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-220F
Pinbelegung des 2SD2061F
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SD2061F kann eine Gleichstromverstärkung von 160 bis 320 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD2061 liegt im Bereich von 100 bis 320, die des 2SD2061E im Bereich von 100 bis 200.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD2061F-Transistor könnte nur mit "D2061F" gekennzeichnet sein.
SMD-Version des Transistors 2SD2061F
Der 2SD1623 (SOT-89), 2SD1624 (SOT-89) und BDP949 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SD2061F-Transistors.