Transistor bipolaire MPSW45

Caractéristiques électriques du transistor MPSW45

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 40 V
  • Tension collecteur-base maximum: 50 V
  • Tension émetteur-base maximum: 12 V
  • Courant collecteur continu maximum: 1 A
  • Dissipation de puissance maximum: 1 W
  • Gain de courant (hfe): 25000 à 150000
  • Fréquence de transition minimum: 100 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92

Brochage du MPSW45

Le MPSW45 est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, la base et le collecteur.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Version SMD du transistor MPSW45

Le 2SC3912 (SOT-23), 2SC3913 (SOT-23), 2SC3914 (SOT-23), 2SC3915 (SOT-23) et BSP50 (SOT-223) est la version SMD du transistor MPSW45.

Substituts et équivalents pour le transistor MPSW45

Vous pouvez remplacer le transistor MPSW45 par MPS650, MPS650G, MPS651, MPS651G, MPSW01A, MPSW01AG, MPSW45A, MPSW45AG, MPSW45G, ZTX690B ou ZTX692B.

Version sans plomb

Le transistor MPSW45G est la version sans plomb du MPSW45.
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