Transistor bipolaire BD535K

Caractéristiques électriques du transistor BD535K

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 60 V
  • Tension collecteur-base maximum: 60 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 8 A
  • Dissipation de puissance maximum: 50 W
  • Gain de courant (hfe): 40 à 100
  • Fréquence de transition minimum: 3 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220

Brochage du BD535K

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor BD535K peut avoir un gain en courant continu de 40 à 100. Le gain en courant continu du BD535 est compris entre 40 à 0, celui du BD535J entre 30 à 75.

Complémentaire du transistor BD535K

Le transistor PNP complémentaire du BD535K est le BD536K.

Substituts et équivalents pour le transistor BD535K

Vous pouvez remplacer le transistor BD535K par 2N6487, 2N6487G, 2N6488, 2N6488G, BD203, BD303, BD537, BD537K, BD707, BD709, BD711, BD743A, BD743B, BD743C, BD797, BD799, BD801, BD807, BD809, BD907, BD909, BD911, BDT81, BDT81F, BDT83, BDT83F, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F, BDT91, BDT91F, BDT93, BDT93F, BDT95, BDT95F, BDX77, MJE15028, MJE15028G, MJE2801T, MJE3055T, MJE3055TG, MJF3055 ou MJF3055G.

Equivalent

Same transistor is also available in:
  • TO-220 package, BD533: 50 watts
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