Transistor bipolaire BD709

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 80 V
• Tension collecteur-base maximum: 80 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 12 A
• Dissipation de puissance maximum: 75 W
• Gain de courant (h_fe): 15 à 150
• Fréquence de transition minimum: 3 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-220

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du BD709 est le BD710.Vous pouvez remplacer le transistor BD709 par BD711, BD909 ou BD911.