Transistor bipolaire BD536K

Caractéristiques électriques du transistor BD536K

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -60 V
  • Tension collecteur-base maximum: -60 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -8 A
  • Dissipation de puissance maximum: 50 W
  • Gain de courant (hfe): 40 à 100
  • Fréquence de transition minimum: 3 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220

Brochage du BD536K

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor BD536K peut avoir un gain en courant continu de 40 à 100. Le gain en courant continu du BD536 est compris entre 40 à 0, celui du BD536J entre 30 à 75.

Complémentaire du transistor BD536K

Le transistor NPN complémentaire du BD536K est le BD535K.

Substituts et équivalents pour le transistor BD536K

Vous pouvez remplacer le transistor BD536K par 2N6490, 2N6490G, 2N6491, 2N6491G, BD204, BD304, BD538, BD538K, BD708, BD710, BD712, BD744A, BD744B, BD744C, BD798, BD800, BD802, BD808, BD810, BD908, BD910, BD912, BDT82, BDT82F, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDT92, BDT92F, BDT94, BDT94F, BDT96, BDT96F, BDX78, MJE15029, MJE15029G, MJE2901T, MJE2955T, MJE2955TG, MJF2955 ou MJF2955G.

Equivalent

Same transistor is also available in:
  • TO-220 package, BD534: 50 watts
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