Transistor bipolaire BD537K

Caractéristiques électriques du transistor BD537K

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 80 V
  • Tension collecteur-base maximum: 80 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 8 A
  • Dissipation de puissance maximum: 50 W
  • Gain de courant (hfe): 40 à 100
  • Fréquence de transition minimum: 3 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220

Brochage du BD537K

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor BD537K peut avoir un gain en courant continu de 40 à 100. Le gain en courant continu du BD537 est compris entre 40 à 0, celui du BD537J entre 30 à 75.

Complémentaire du transistor BD537K

Le transistor PNP complémentaire du BD537K est le BD538K.

Substituts et équivalents pour le transistor BD537K

Vous pouvez remplacer le transistor BD537K par 2N6488, 2N6488G, BD709, BD711, BD743B, BD743C, BD799, BD801, BD809, BD909, BD911, BDT83, BDT83F, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F, BDT93, BDT93F, BDT95, BDT95F, BDX77, MJE15028, MJE15028G, MJE15030, MJE15030G, MJF15030, MJF15030G, MJF3055 ou MJF3055G.
Si vous trouvez une erreur, veuillez envoyer un e-mail à mail@el-component.com