Transistor bipolaire MJF3055

Caractéristiques électriques du transistor MJF3055

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 90 V
  • Tension collecteur-base maximum: 90 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 10 A
  • Dissipation de puissance maximum: 30 W
  • Gain de courant (hfe): 20 à 100
  • Fréquence de transition minimum: 2 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220F
  • Electrically Similar to the Popular MJE3055T transistor

Brochage du MJF3055

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor MJF3055

Le transistor PNP complémentaire du MJF3055 est le MJF2955.

Substituts et équivalents pour le transistor MJF3055

Vous pouvez remplacer le transistor MJF3055 par BD711, BD743C, BD911, BDT95, BDT95F ou MJF3055G.

Version sans plomb

Le transistor MJF3055G est la version sans plomb du MJF3055.
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