Transistor bipolaire MJE3055TG

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 60 V
• Tension collecteur-base maximum: 70 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 10 A
• Dissipation de puissance maximum: 75 W
• Gain de courant (h_fe): 20 à 100
• Fréquence de transition minimum: 2 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-220
• Le MJE3055TG est la version sans plomb du transistor MJE3055T

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du MJE3055TG est le MJE2955TG.Vous pouvez remplacer le transistor MJE3055TG par 2N6487, 2N6487G, 2N6488, 2N6488G, BD707, BD709, BD711, BD743A, BD743B, BD743C, BD907, BD909, BD911, BDT91, BDT91F, BDT93, BDT93F, BDT95, BDT95F, MJE3055T, MJF3055 ou MJF3055G.