Transistor bipolaire MJF3055G

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 90 V
• Tension collecteur-base maximum: 90 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 10 A
• Dissipation de puissance maximum: 30 W
• Gain de courant (h_fe): 20 à 100
• Fréquence de transition minimum: 2 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-220F
• Electrically Similar to the Popular MJE3055T transistor
• Le MJF3055G est la version sans plomb du transistor MJF3055

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du MJF3055G est le MJF2955G.Vous pouvez remplacer le transistor MJF3055G par BD711, BD743C, BD911, BDT95, BDT95F ou MJF3055.