Caractéristiques électriques du transistor 2SD856A-Q
Type de transistor: NPN
Tension collecteur-émetteur maximum: 80 V
Tension collecteur-base maximum: 80 V
Tension émetteur-base maximum: 5 V
Courant collecteur continu maximum: 3 A
Dissipation de puissance maximum: 35 W
Gain de courant (hfe): 70 à 150
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-220
Brochage du 2SD856A-Q
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor 2SD856A-Q peut avoir un gain en courant continu de 70 à 150. Le gain en courant continu du 2SD856A est compris entre 40 à 250, celui du 2SD856A-P entre 120 à 250, celui du 2SD856A-R entre 40 à 90.
Marquage
Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD856A-Q peut n'être marqué que D856A-Q.
Complémentaire du transistor 2SD856A-Q
Le transistor PNP complémentaire du 2SD856A-Q est le 2SB761A-Q.
Version SMD du transistor 2SD856A-Q
Le BDP951 (SOT-223) est la version SMD du transistor 2SD856A-Q.
Substituts et équivalents pour le transistor 2SD856A-Q