Transistor bipolaire 2N6474

Caractéristiques électriques du transistor 2N6474

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 120 V
  • Tension collecteur-base maximum: 130 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 4 A
  • Dissipation de puissance maximum: 40 W
  • Gain de courant (hfe): 15 à 150
  • Fréquence de transition minimum: 4 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220

Brochage du 2N6474

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor 2N6474

Le transistor PNP complémentaire du 2N6474 est le 2N6476.

Substituts et équivalents pour le transistor 2N6474

Vous pouvez remplacer le transistor 2N6474 par 2SD772, 2SD772A, 2SD792, 2SD792A, NTE291, TIP41D, TIP41E, TIP41F, TIP42D, TIP42E ou TIP42F.
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