Transistor bipolaire NTE291

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 130 V
• Tension collecteur-base maximum: 130 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 4 A
• Dissipation de puissance maximum: 16 W
• Gain de courant (h_fe): 15 à 150
• Fréquence de transition minimum: 4 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-220

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du NTE291 est le NTE292.Vous pouvez remplacer le transistor NTE291 par 2SD772, 2SD772A, 2SD772B, 2SD792, 2SD792A, 2SD792B, TIP41E, TIP41F, TIP42E ou TIP42F.