Caractéristiques électriques du transistor 2SB601-M
Type de transistor: PNP
Tension collecteur-émetteur maximum: -100 V
Tension collecteur-base maximum: -100 V
Tension émetteur-base maximum: -7 V
Courant collecteur continu maximum: -5 A
Dissipation de puissance maximum: 30 W
Gain de courant (hfe): 2000 à 5000
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-220
Brochage du 2SB601-M
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor 2SB601-M peut avoir un gain en courant continu de 2000 à 5000. Le gain en courant continu du 2SB601 est compris entre 2000 à 15000, celui du 2SB601-K entre 5000 à 15000, celui du 2SB601-L entre 3000 à 7000.
Marquage
Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB601-M peut n'être marqué que B601-M.
Complémentaire du transistor 2SB601-M
Le transistor NPN complémentaire du 2SB601-M est le 2SD560-MB.
Substituts et équivalents pour le transistor 2SB601-M