Caractéristiques électriques du transistor 2SD1667-R
Type de transistor: NPN
Tension collecteur-émetteur maximum: 50 V
Tension collecteur-base maximum: 60 V
Tension émetteur-base maximum: 6 V
Courant collecteur continu maximum: 5 A
Dissipation de puissance maximum: 25 W
Gain de courant (hfe): 100 à 200
Fréquence de transition minimum: 30 MHz
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-220F
Brochage du 2SD1667-R
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor 2SD1667-R peut avoir un gain en courant continu de 100 à 200. Le gain en courant continu du 2SD1667 est compris entre 70 à 280, celui du 2SD1667-Q entre 70 à 140, celui du 2SD1667-S entre 140 à 280.
Marquage
Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD1667-R peut n'être marqué que D1667-R.
Complémentaire du transistor 2SD1667-R
Le transistor PNP complémentaire du 2SD1667-R est le 2SB1134-R.
Version SMD du transistor 2SD1667-R
Le 2SD1624 (SOT-89), 2SD1624-R (SOT-89) et BDP949 (SOT-223) est la version SMD du transistor 2SD1667-R.
Substituts et équivalents pour le transistor 2SD1667-R