Caractéristiques électriques du transistor 2SD1060
Type de transistor: NPN
Tension collecteur-émetteur maximum: 50 V
Tension collecteur-base maximum: 60 V
Tension émetteur-base maximum: 6 V
Courant collecteur continu maximum: 5 A
Dissipation de puissance maximum: 30 W
Gain de courant (hfe): 100 à 280
Fréquence de transition minimum: 30 MHz
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-220
Brochage du 2SD1060
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor 2SD1060 peut avoir un gain en courant continu de 100 à 280. Le gain en courant continu du 2SD1060-Q est compris entre 70 à 140, celui du 2SD1060-R entre 100 à 200, celui du 2SD1060-S entre 140 à 280.
Marquage
Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD1060 peut n'être marqué que D1060.
Complémentaire du transistor 2SD1060
Le transistor PNP complémentaire du 2SD1060 est le 2SB824.
Version SMD du transistor 2SD1060
Le 2SD1624 (SOT-89) et BDP949 (SOT-223) est la version SMD du transistor 2SD1060.
Substituts et équivalents pour le transistor 2SD1060