Transistor bipolaire 2SD1062

Caractéristiques électriques du transistor 2SD1062

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 50 V
  • Tension collecteur-base maximum: 60 V
  • Tension émetteur-base maximum: 6 V
  • Courant collecteur continu maximum: 12 A
  • Dissipation de puissance maximum: 40 W
  • Gain de courant (hfe): 70 à 280
  • Fréquence de transition minimum: 10 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220

Brochage du 2SD1062

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SD1062 peut avoir un gain en courant continu de 70 à 280. Le gain en courant continu du 2SD1062-Q est compris entre 70 à 140, celui du 2SD1062-R entre 100 à 200, celui du 2SD1062-S entre 140 à 280.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD1062 peut n'être marqué que D1062.

Complémentaire du transistor 2SD1062

Le transistor PNP complémentaire du 2SD1062 est le 2SB826.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SD1062

Vous pouvez remplacer le transistor 2SD1062 par 2SD1669, BD545A, BD545B, BD545C, BDT81, BDT81F, BDT83, BDT83F, BDT85 ou BDT85F.
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