Transistor bipolar 2SD985-K

Características del transistor 2SD985-K

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 60 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 150 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 8 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 1.5 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 10 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 8000 a 30000
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-126

Diagrama de pines del 2SD985-K

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SD985-K puede tener una ganancia de corriente de 8000 a 30000. La ganancia del 2SD985 estará en el rango de 2000 a 30000, para el 2SD985-L estará en el rango de 4000 a 10000, para el 2SD985-M estará en el rango de 2000 a 5000.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SD985-K puede estar marcado sólo como "D985-K".

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del 2SD985-K es el 2SB794-K.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SD985-K

Puede sustituir el 2SD985-K por el 2SD1509, 2SD986, 2SD986-K, BD167, BD169, BD189, BD235, BD235G, BD237, BD237G, BD677, BD677A, BD677AG, BD677G, BD679, BD679A, BD679AG, BD679G, BD681, BD681G, BD777, BD779, KSB985, KSB985-Y, KSB986, KSB986-Y, KSE800, KSE801, KSE802, KSE803, MJE225, MJE242, MJE244, MJE270, MJE270G, MJE721, MJE722, MJE800, MJE800G, MJE801, MJE801G, MJE802, MJE802G, MJE803 o MJE803G.
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