Bipolartransistor S9012I

Elektrische Eigenschaften des Transistors S9012I

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -25 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -40 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.5 A
  • Verlustleistung, max: 0.625 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 190 bis 300
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des S9012I

Der S9012I wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor S9012I kann eine Gleichstromverstärkung von 190 bis 300 haben. Die Gleichstromverstärkung des S9012 liegt im Bereich von 64 bis 300, die des S9012D im Bereich von 64 bis 91, die des S9012E im Bereich von 78 bis 112, die des S9012F im Bereich von 96 bis 135, die des S9012G im Bereich von 112 bis 166, die des S9012H im Bereich von 144 bis 202.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum S9012I ist der S9013I.

Ersatz und Äquivalent für Transistor S9012I

Sie können den Transistor S9012I durch einen 2N4403, 2SB564A, BCX79, KN2907, KSB564A, KTC8550, KTC8550D, KTN2907, M8550, M8550-D, MPS2907, MPS2907G, MPS3702, MPS6535, MPS6651, MPS6651G, MPS6652, MPS6652G, MPS750, MPS750G, MPS8550, MPS8550D, MPSW51, MPSW51A, MPSW51AG, MPSW51G, NTE193, PN200, PN2905, PN2907, S8550, S8550D, SS8550, SS8550D, ZTX549, ZTX550 oder ZTX949 ersetzen.
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