Bipolartransistor S9013I

Elektrische Eigenschaften des Transistors S9013I

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 25 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 40 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.5 A
  • Verlustleistung, max: 0.625 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 190 bis 300
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des S9013I

Der S9013I wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor S9013I kann eine Gleichstromverstärkung von 190 bis 300 haben. Die Gleichstromverstärkung des S9013 liegt im Bereich von 64 bis 300, die des S9013D im Bereich von 64 bis 91, die des S9013E im Bereich von 78 bis 112, die des S9013F im Bereich von 96 bis 135, die des S9013G im Bereich von 112 bis 166, die des S9013H im Bereich von 144 bis 202.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum S9013I ist der S9012I.

Ersatz und Äquivalent für Transistor S9013I

Sie können den Transistor S9013I durch einen 2N4401, 2N5172, 2SD471A, KN2222, KN2222A, KSD471A, KSP2222A, KTC8050, KTC8050D, KTN2222, KTN2222A, M8050, M8050-D, MPS2222, MPS2222A, MPS2222AG, MPS2222G, MPS3415, MPS3417, MPS3704, MPS650, MPS650G, MPS6532, MPS6601, MPS6601G, MPS6602, MPS6602G, MPS8050, MPS8050D, MPSW01, MPSW01A, MPSW01AG, MPSW01G, NTE123AP, NTE192, P2N2222A, P2N2222AG, PN100, PN2219, PN2219A, PN2222, PN2222A, PN3569, S8050, S8050D, SS8050, SS8050D, ZTX449, ZTX450 oder ZTX690B ersetzen.
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