Bipolartransistor S8550

Elektrische Eigenschaften des Transistors S8550

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -25 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -40 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.5 A
  • Verlustleistung, max: 0.625 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 85 bis 300
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des S8550

Der S8550 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor S8550 kann eine Gleichstromverstärkung von 85 bis 300 haben. Die Gleichstromverstärkung des S8550B liegt im Bereich von 85 bis 160, die des S8550C im Bereich von 120 bis 200, die des S8550D im Bereich von 160 bis 300.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum S8550 ist der S8050.

Ersatz und Äquivalent für Transistor S8550

Sie können den Transistor S8550 durch einen 2SB564A, KSB564A, M8550, MPS3702, MPS6535, MPS6651, MPS6651G, MPS6652, MPS6652G, MPS750, MPS750G, MPS8550, MPSW51, MPSW51A, MPSW51AG, MPSW51G, S9012 oder SS8550 ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com