Bipolartransistor S9012H

Elektrische Eigenschaften des Transistors S9012H

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -25 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -40 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.5 A
  • Verlustleistung, max: 0.625 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 144 bis 202
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des S9012H

Der S9012H wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor S9012H kann eine Gleichstromverstärkung von 144 bis 202 haben. Die Gleichstromverstärkung des S9012 liegt im Bereich von 64 bis 300, die des S9012D im Bereich von 64 bis 91, die des S9012E im Bereich von 78 bis 112, die des S9012F im Bereich von 96 bis 135, die des S9012G im Bereich von 112 bis 166, die des S9012I im Bereich von 190 bis 300.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum S9012H ist der S9013H.

Ersatz und Äquivalent für Transistor S9012H

Sie können den Transistor S9012H durch einen 2N4403, 2SB564A, 2SB564AY, BCX79, KN2907, KSB564A, KSB564AY, KTC8550, KTC9012, KTC9012H, KTN2907, M8550, MPS2907, MPS2907G, MPS3702, MPS6534, MPS6535, MPS6651, MPS6651G, MPS6652, MPS6652G, MPS750, MPS750G, MPS8550, MPSW51, MPSW51A, MPSW51AG, MPSW51G, PN200, PN2905, PN2907, S8550, SS8550, ZTX549, ZTX550 oder ZTX949 ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com