Bipolartransistor PN200

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -45 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -75 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.5 A
• Verlustleistung, max: 0.625 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 100 bis 450
• Übergangsfrequenz, min: 250 MHz
• Rauschzahl, max: 5 dB
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: TO-92

Der PN200 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der komplementäre NPN-Transistor zum PN200 ist der PN100.Der MMBT200 (SOT-23) ist die SMD-Version des PN200-Transistors.Sie können den Transistor PN200 durch einen KSP55, KSP56, MPS4354, MPS751, MPS751G, MPSA55, MPSA55G, MPSA56, MPSA56G, MPSW55, MPSW55G, MPSW56, MPSW56G oder PN4354 ersetzen.