Bipolartransistor S9012

Elektrische Eigenschaften des Transistors S9012

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -25 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -40 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.5 A
  • Verlustleistung, max: 0.625 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 64 bis 300
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des S9012

Der S9012 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor S9012 kann eine Gleichstromverstärkung von 64 bis 300 haben. Die Gleichstromverstärkung des S9012D liegt im Bereich von 64 bis 91, die des S9012E im Bereich von 78 bis 112, die des S9012F im Bereich von 96 bis 135, die des S9012G im Bereich von 112 bis 166, die des S9012H im Bereich von 144 bis 202, die des S9012I im Bereich von 190 bis 300.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum S9012 ist der S9013.

Ersatz und Äquivalent für Transistor S9012

Sie können den Transistor S9012 durch einen MPS3702, MPS6535, MPS6651, MPS6651G, MPS6652, MPS6652G, MPSW51, MPSW51A, MPSW51AG oder MPSW51G ersetzen.
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