Bipolartransistor MPS8550

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -25 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -40 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1.5 A
• Verlustleistung, max: 0.625 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 85 bis 300
• Übergangsfrequenz, min: 200 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-92

Der MPS8550 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor MPS8550 kann eine Gleichstromverstärkung von 85 bis 300 haben. Die Gleichstromverstärkung des MPS8550B liegt im Bereich von 85 bis 160, die des MPS8550C im Bereich von 120 bis 200, die des MPS8550D im Bereich von 160 bis 300.Der komplementäre NPN-Transistor zum MPS8550 ist der MPS8050.Der MMBT3702 (SOT-23) und MPS8550S (SOT-23) ist die SMD-Version des MPS8550-Transistors.Sie können den Transistor MPS8550 durch einen MPS750, MPS750G oder SS8550 ersetzen.