Bipolartransistor MPSW51

Elektrische Eigenschaften des Transistors MPSW51

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -30 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -40 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1 A
  • Verlustleistung, max: 1 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 60
  • Übergangsfrequenz, min: 50 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des MPSW51

Der MPSW51 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum MPSW51 ist der MPSW01.

SMD-Version des Transistors MPSW51

Der 2SA1036 (SOT-23), 2SA1036-P (SOT-23), 2SA1036-Q (SOT-23), 2SA1036-R (SOT-23), BCW67 (SOT-23), BCW67A (SOT-23), BCW67B (SOT-23) und BCW67C (SOT-23) ist die SMD-Version des MPSW51-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MPSW51

Sie können den Transistor MPSW51 durch einen BC527-10, BC527-16, BC527-25, MPS4355, MPS750, MPS750G, MPS751, MPS751G, MPSW51A, MPSW51AG, MPSW51G, MPSW63, MPSW64, ZTX549, ZTX550, ZTX790A, ZTX949 oder ZTX951 ersetzen.

Bleifreie Version

Der MPSW51G-Transistor ist die bleifreie Version des MPSW51.
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