Bipolartransistor S8550D

Elektrische Eigenschaften des Transistors S8550D

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -25 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -40 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.5 A
  • Verlustleistung, max: 0.625 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 160 bis 300
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des S8550D

Der S8550D wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor S8550D kann eine Gleichstromverstärkung von 160 bis 300 haben. Die Gleichstromverstärkung des S8550 liegt im Bereich von 85 bis 300, die des S8550B im Bereich von 85 bis 160, die des S8550C im Bereich von 120 bis 200.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum S8550D ist der S8050D.

Ersatz und Äquivalent für Transistor S8550D

Sie können den Transistor S8550D durch einen 2N4403, 2SB564A, BCX79, KN2907, KSB564A, KTC8550, KTC8550D, KTN2907, M8550, M8550-D, MPS2907, MPS2907G, MPS3702, MPS6535, MPS6651, MPS6651G, MPS6652, MPS6652G, MPS750, MPS750G, MPS8550, MPS8550D, MPSW51, MPSW51A, MPSW51AG, MPSW51G, PN200, PN2905, PN2907, S9012, SS8550, SS8550D, ZTX549, ZTX550 oder ZTX949 ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com